K4A8G165WB-BCWE vs K4A8G165WB-BCRC موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G165WB-BCWE بذریعہ Samsung Electronics اور K4A8G165WB-BCRC بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 3200Mbps 96FBGA DRAM | Samsung

K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 3200Mbps 96FBGA DRAM | Samsung

K4A8G165WB-BCWE ✓ فعال
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCRC K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCRC ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4A8G165WB-BCWE K4A8G165WB-BCRC
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
اسٹاک کی حالت In Stock —
فی یونٹ قیمت (USD) $6.25 —
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (DRAM, volatile)
میموری سائز 8 Gb 8 Gb
Memory Organization 512M x 16 512M x 16
ڈیٹا ریٹ 3200 Mbps/pin 2400 Mbps/pin (DDR4-2400)
سپلائی وولٹیج 1.2 V —
Access Time 19 ns —
انٹرفیس Parallel Parallel (DDR4 SDRAM bus)
پیکیج 96FBGA 96-ball FBGA (PBGA96)
آپریٹنگ درجہ حرارت 0C to +85C -40C to +95C
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Memory Format DRAM (volatile) —
Technology DDR4 SDRAM B-die CMOS, B-die 8Gb die
Prefetch 8n —
Refresh Self-refresh supported —
Termination On-die termination (ODT) —
RoHS اسٹیٹس [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] —
MSL لیول [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
CRC / CA Parity — CRC function supported
On-Chip Termination — Dynamic ODT
ZQ Calibration — Yes
Clock Frequency — 1200 MHz (DDR4-2400)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں