K4A8G165WB-BCWE vs K4A8G165WB-BCRC So sánh
So sánh chi tiết song song của K4A8G165WB-BCWE bằng Samsung Electronics và K4A8G165WB-BCRC bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 3200Mbps 96FBGA DRAM | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ Hoạt độngSamsung Electronics
K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung
K4A8G165WB-BCRC ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K4A8G165WB-BCWE | K4A8G165WB-BCRC |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Trạng thái kho | In Stock | — |
| Giá đơn vị (USD) | $6,25 | — |
| Kiểu bộ nhớ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) |
| Kích thước bộ nhớ | 8 Gb | 8 Gb |
| Memory Organization | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Tốc độ dữ liệu | 3200 Mbps/pin | 2400 Mbps/pin (DDR4-2400) |
| Điện áp cung cấp | 1.2 V | — |
| Access Time | 19 ns | — |
| Giao diện | Parallel | Parallel (DDR4 SDRAM bus) |
| Hộp | 96FBGA | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| Nhiệt độ hoạt động | 0C to +85C | -40C to +95C |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Format | DRAM (volatile) | — |
| Technology | DDR4 SDRAM B-die | CMOS, B-die 8Gb die |
| Prefetch | 8n | — |
| Refresh | Self-refresh supported | — |
| Termination | On-die termination (ODT) | — |
| Trạng thái RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] | — |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC / CA Parity | — | CRC function supported |
| On-Chip Termination | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Clock Frequency | — | 1200 MHz (DDR4-2400) |