K4A8G165WB-BCWE vs K4A8G165WB-BCRC השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A8G165WB-BCWE מאת Samsung Electronics ו K4A8G165WB-BCRC מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 3200Mbps 96FBGA DRAM | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ פעיל
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4A8G165WB-BCWE | K4A8G165WB-BCRC |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סטטוס מלאי | In Stock | — |
| מחיר ליחידה (USD) | $6.25 | — |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) |
| גודל זיכרון | 8 Gb | 8 Gb |
| Memory Organization | 512M x 16 | 512M x 16 |
| קצב נתונים | 3200 Mbps/pin | 2400 Mbps/pin (DDR4-2400) |
| מתח אספקה | 1.2 V | — |
| Access Time | 19 ns | — |
| ממשק | Parallel | Parallel (DDR4 SDRAM bus) |
| מארז | 96FBGA | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| טמפרטורת פעולה | 0C to +85C | -40C to +95C |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Format | DRAM (volatile) | — |
| Technology | DDR4 SDRAM B-die | CMOS, B-die 8Gb die |
| Prefetch | 8n | — |
| Refresh | Self-refresh supported | — |
| Termination | On-die termination (ODT) | — |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] | — |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC / CA Parity | — | CRC function supported |
| On-Chip Termination | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Clock Frequency | — | 1200 MHz (DDR4-2400) |