K4B4G1646D-BCK0 vs MT41K256M16HA-125 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4B4G1646D-BCK0 بذریعہ Samsung Electronics اور MT41K256M16HA-125 بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCK0 K4B4G1646D-BCK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BCK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BCK0 ✓ فعال
Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4B4G1646D-BCK0 MT41K256M16HA-125
برانڈ Samsung Electronics Micron Technology
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
فی یونٹ قیمت (USD) — $6.36
میموری ٹائپ DDR3L SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 4 Gb —
تنظیم 256M x 16 —
Number of Banks 8 —
ڈیٹا ریٹ 1600 Mbps per pin —
Clock Frequency 800 MHz 800 MHz
Supply Voltage (VDD) 1.35V (1.283V to 1.45V) —
Supply Voltage (VDDQ) 1.35V (1.283V to 1.45V) —
CAS لیٹنسی 11 (programmable) 11
Burst Length 8, 4 —
پیکیج 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) 96-FBGA (9x14 mm)
آپریٹنگ درجہ حرارت 0°C to 95°C (Tc) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
ہیلوجن فری Yes —
میموری سائز — 4Gbit (256M x 16)
ڈیٹا بس چوڑائی — 16 bit
Access Time — 13.75 ns
سپلائی وولٹیج — 1.35 V
پنز کی تعداد — 96
ماؤنٹنگ ٹائپ — Surface Mount
RoHS اسٹیٹس — Compliant
Logic Family — CMOS
Refresh Interval — 7.8 us at 85C

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں