K4B4G1646D-BCK0 vs MT41K256M16HA-125 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4B4G1646D-BCK0 מאת Samsung Electronics ו MT41K256M16HA-125 מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4B4G1646D-BCK0 | MT41K256M16HA-125 |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Micron Technology |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| מחיר ליחידה (USD) | — | $6.36 |
| סוג זיכרון | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Density | 4 Gb | — |
| ארגון | 256M x 16 | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| קצב נתונים | 1600 Mbps per pin | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | 800 MHz |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35V (1.283V to 1.45V) | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.35V (1.283V to 1.45V) | — |
| השהיית CAS | 11 (programmable) | 11 |
| Burst Length | 8, 4 | — |
| מארז | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-FBGA (9x14 mm) |
| טמפרטורת פעולה | 0°C to 95°C (Tc) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| נטול הלוגנים | Yes | — |
| גודל זיכרון | — | 4Gbit (256M x 16) |
| רוחב אפיק נתונים | — | 16 bit |
| Access Time | — | 13.75 ns |
| מתח אספקה | — | 1.35 V |
| מספר פינים | — | 96 |
| סוג הרכבה | — | Surface Mount |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |
| Logic Family | — | CMOS |
| Refresh Interval | — | 7.8 us at 85C |