K4B4G1646D-BCK0 vs MT41K256M16HA-125 So sánh

So sánh chi tiết song song của K4B4G1646D-BCK0 bằng Samsung Electronics và MT41K256M16HA-125 bằng Micron Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCK0 K4B4G1646D-BCK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BCK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BCK0 ✓ Hoạt động
Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K4B4G1646D-BCK0 MT41K256M16HA-125
Thương hiệu Samsung Electronics Micron Technology
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Giá đơn vị (USD) — $6,36
Kiểu bộ nhớ DDR3L SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 4 Gb —
Tổ chức 256M x 16 —
Number of Banks 8 —
Tốc độ dữ liệu 1600 Mbps per pin —
Clock Frequency 800 MHz 800 MHz
Supply Voltage (VDD) 1.35V (1.283V to 1.45V) —
Supply Voltage (VDDQ) 1.35V (1.283V to 1.45V) —
Latency CAS 11 (programmable) 11
Burst Length 8, 4 —
Hộp 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) 96-FBGA (9x14 mm)
Nhiệt độ hoạt động 0°C to 95°C (Tc) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Đông trùng haogen Yes —
Kích thước bộ nhớ — 4Gbit (256M x 16)
Bề rộng đường dữ liệu — 16 bit
Access Time — 13.75 ns
Điện áp cung cấp — 1.35 V
Số lượng chân — 96
Kiểu lắp đặt — Surface Mount
Trạng thái RoHS — Compliant
Logic Family — CMOS
Refresh Interval — 7.8 us at 85C

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá