K4B4G1646E-BMK0 vs H5TC4G63AFR-PBA موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4B4G1646E-BMK0 بذریعہ Samsung Electronics اور H5TC4G63AFR-PBA بذریعہ SK hynix. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4B4G1646E-BMK0 | H5TC4G63AFR-PBA |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | SK hynix |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| فی یونٹ قیمت (USD) | — | $3.98 |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| تنظیم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Grade | 1600 Mbps | — |
| Voltage | 1.35 V | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -40°C to +95°C | — |
| پیکیج | 96-FBGA | 96-ball FBGA |
| انٹرفیس | Parallel | 16-bit I/O |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| ڈیٹا ریٹ | 1600 Mbps | 1866 Mbps (PC3L-14900) |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| CAS Latency (CL) | — | 11, 12, 13 |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | 0°C to +95°C (Tcase) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Partial Array Self-Refresh | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |