K4B4G1646E-BMK0 vs H5TC4G63AFR-PBA So sánh
So sánh chi tiết song song của K4B4G1646E-BMK0 bằng Samsung Electronics và H5TC4G63AFR-PBA bằng SK hynix. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 1600Mbps | Samsung
K4B4G1646E-BMK0 ✓ Hoạt động
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K4B4G1646E-BMK0 | H5TC4G63AFR-PBA |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electronics | SK hynix |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Giá đơn vị (USD) | — | $3,98 |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| Tổ chức | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Grade | 1600 Mbps | — |
| Voltage | 1.35 V | — |
| Nhiệt độ hoạt động | -40°C to +95°C | — |
| Hộp | 96-FBGA | 96-ball FBGA |
| Giao diện | Parallel | 16-bit I/O |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Tốc độ dữ liệu | 1600 Mbps | 1866 Mbps (PC3L-14900) |
| Kiểu bộ nhớ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| CAS Latency (CL) | — | 11, 12, 13 |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | 0°C to +95°C (Tcase) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Partial Array Self-Refresh | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |