K4B4G1646E-BMK0 vs MT41K256M16HA-125 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4B4G1646E-BMK0 بذریعہ Samsung Electronics اور MT41K256M16HA-125 بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4B4G1646E-BMK0 | MT41K256M16HA-125 |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Micron Technology |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| فی یونٹ قیمت (USD) | — | $6.36 |
| Density | 4 Gb | — |
| تنظیم | 256M x 16 | — |
| Speed Grade | 1600 Mbps | — |
| Voltage | 1.35 V | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -40°C to +95°C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| پیکیج | 96-FBGA | 96-FBGA (9x14 mm) |
| انٹرفیس | Parallel | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | 800 MHz |
| ڈیٹا ریٹ | 1600 Mbps | — |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| میموری سائز | — | 4Gbit (256M x 16) |
| ڈیٹا بس چوڑائی | — | 16 bit |
| Access Time | — | 13.75 ns |
| سپلائی وولٹیج | — | 1.35 V |
| پنز کی تعداد | — | 96 |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Logic Family | — | CMOS |
| Refresh Interval | — | 7.8 us at 85C |
| CAS لیٹنسی | — | 11 |