K4B4G1646E-BMK0 vs MT41K256M16HA-125 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4B4G1646E-BMK0 توسط Samsung Electronics و MT41K256M16HA-125 توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4B4G1646E-BMK0 | MT41K256M16HA-125 |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Micron Technology |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| قیمت واحد (USD) | — | $6.36 |
| Density | 4 Gb | — |
| سازمان | 256M x 16 | — |
| Speed Grade | 1600 Mbps | — |
| Voltage | 1.35 V | — |
| دمای کاری | -40°C to +95°C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| بسته‌بندی | 96-FBGA | 96-FBGA (9x14 mm) |
| رابط | Parallel | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | 800 MHz |
| نرخ داده | 1600 Mbps | — |
| نوع حافظه | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| اندازه حافظه | — | 4Gbit (256M x 16) |
| عرض گذرگاه داده | — | 16 bit |
| Access Time | — | 13.75 ns |
| ولتاژ تغذیه | — | 1.35 V |
| تعداد پین‌ها | — | 96 |
| وضعیت RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Logic Family | — | CMOS |
| Refresh Interval | — | 7.8 us at 85C |
| تأخیر CAS | — | 11 |