K9MDG08U5M vs K9XXG08UXM موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K9MDG08U5M بذریعہ Samsung Electronics اور K9XXG08UXM بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K9MDG08U5M | K9XXG08UXM |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | Obsolete |
| میموری ٹائپ | MLC Large Block NAND Flash | — |
| Density | 16 Gbit (2 GB) | — |
| تنظیم | 16G x 8 bit | — |
| Cell Type | MLC (2 bits per cell) | SLC (single-level cell) NAND |
| Supply Voltage Min | 2.7 V | — |
| Supply Voltage Max | 3.6 V | — |
| انٹرفیس | Asynchronous x8 multiplexed address/data | — |
| پیکیج | 48-pin TSOP1 dual stacked, 12 mm x 20 mm | 48-pin TSOP |
| Terminals | 48 | — |
| Circuits | 1 | — |
| Die Configuration | Dual stacked | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] |
| Page Size | [DATA_NEEDED: page size] | (2K + 64) Byte |
| Block Size | [DATA_NEEDED: block size] | (256K + 8K) Byte |
| Page Read Time (tR) | [DATA_NEEDED: tR] | — |
| Program Time (tPROG) | [DATA_NEEDED: tPROG] | — |
| RoHS اسٹیٹس | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| میموری سائز | — | 2G x 8 Bit (2Gb) |
| Memory Cell Array Organization | — | (1G + 32M) bit x 8 bit |
| Data Register | — | (2K + 64) bit x 8 bit |
| سپلائی وولٹیج | — | 2.7 V to 3.6 V |
| Program Operation | — | Automatic Page Program, (2K + 64) Byte |
| Erase Operation | — | Automatic Block Erase, (256K + 8K) Byte |
| I/O Interface | — | 8-bit multiplexed address/data/command |
| Control Signals | — | CLE, ALE, CE, RE, WE, WP, R/B |
| Access Time (tR) | — | [DATA_NEEDED: Access Time] |