1EDB7275FXUMA1 vs 1ED3124MU12HXUMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của 1EDB7275FXUMA1 bằng Infineon và 1ED3124MU12HXUMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
1EDB7275FXUMA1 1EDB7275FXUMA1 - Single-Channel Isolated Gate Driver IC | Infineon

1EDB7275FXUMA1 - Single-Channel Isolated Gate Driver IC | Infineon

1EDB7275FXUMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
1ED3124MU12HXUMA1 1ED3124MU12HXUMA1 - 14A Isolated Gate Driver | Infineon EiceDRIVER

1ED3124MU12HXUMA1 - 14A Isolated Gate Driver | Infineon EiceDRIVER

1ED3124MU12HXUMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số 1EDB7275FXUMA1 1ED3124MU12HXUMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Product Type Single-channel isolated gate driver IC Single-channel isolated gate driver IC
Topology Supported High-side / low-side, half-bridge (with two parts) —
Isolation Technology Coreless transformer (CT) magnetic coupling Coreless transformer (CT)
Isolation Voltage (Viso) 3000 Vrms —
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) 300 V/ns (minimum) 200 kV/us minimum
Peak Source Output Current 5.4 A (typical) —
Peak Sink Output Current 9.8 A (typical) —
Propagation Delay +6 / -4 ns (typical, see datasheet family) —
Supported Switch Technologies Si MOSFET, SiC MOSFET, GaN HEMT —
Hộp PG-DSO-8 (150 mil DSO, 8-pin) PG-DSO-8-66 (DSO-8 wide-body)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Khoảng nhiệt độ hoạt động [DATA_NEEDED: full operating temperature range] -40C to +125C
UVLO Protection Yes (secondary side) —
Marking Code 1B7275A —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Manufacturer Family — EiceDRIVER Compact 1ED31xxMU12H (X3 compact)
Peak Output Current (source/sink) — 14 A typical
Cấu hình đầu ra — Separate source and sink pins
Galvanic Isolation (rms) — 5.7 kV (UL 1577)
Working Voltage (continuous) — 1200 V
Propagation Delay (typ.) — 90 ns
UVLO Threshold — 10.5 V
Creepage Distance — >8 mm
Target Switch Types — IGBT, power MOSFET, SiC MOSFET
Recommended Switch Class — Up to 2300 V IGBT / SiC modules
Cấp MSL — MSL2 (per JEDEC J-STD-020)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá