1EDB7275FXUMA1 vs 1ED3124MU12HXUMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار 1EDB7275FXUMA1 توسط Infineon و 1ED3124MU12HXUMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر 1EDB7275FXUMA1 1ED3124MU12HXUMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Product Type Single-channel isolated gate driver IC Single-channel isolated gate driver IC
Topology Supported High-side / low-side, half-bridge (with two parts) —
Isolation Technology Coreless transformer (CT) magnetic coupling Coreless transformer (CT)
Isolation Voltage (Viso) 3000 Vrms —
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) 300 V/ns (minimum) 200 kV/us minimum
Peak Source Output Current 5.4 A (typical) —
Peak Sink Output Current 9.8 A (typical) —
Propagation Delay +6 / -4 ns (typical, see datasheet family) —
Supported Switch Technologies Si MOSFET, SiC MOSFET, GaN HEMT —
بسته‌بندی PG-DSO-8 (150 mil DSO, 8-pin) PG-DSO-8-66 (DSO-8 wide-body)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
محدوده دمای کاری [DATA_NEEDED: full operating temperature range] -40C to +125C
UVLO Protection Yes (secondary side) —
Marking Code 1B7275A —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Manufacturer Family — EiceDRIVER Compact 1ED31xxMU12H (X3 compact)
Peak Output Current (source/sink) — 14 A typical
پیکربندی خروجی — Separate source and sink pins
Galvanic Isolation (rms) — 5.7 kV (UL 1577)
Working Voltage (continuous) — 1200 V
Propagation Delay (typ.) — 90 ns
UVLO Threshold — 10.5 V
Creepage Distance — >8 mm
Target Switch Types — IGBT, power MOSFET, SiC MOSFET
Recommended Switch Class — Up to 2300 V IGBT / SiC modules
سطح MSL — MSL2 (per JEDEC J-STD-020)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت