1EDB7275FXUMA1 vs 1ED3124MU12HXUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 1EDB7275FXUMA1 מאת Infineon ו 1ED3124MU12HXUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר 1EDB7275FXUMA1 1ED3124MU12HXUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Product Type Single-channel isolated gate driver IC Single-channel isolated gate driver IC
Topology Supported High-side / low-side, half-bridge (with two parts) —
Isolation Technology Coreless transformer (CT) magnetic coupling Coreless transformer (CT)
Isolation Voltage (Viso) 3000 Vrms —
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) 300 V/ns (minimum) 200 kV/us minimum
Peak Source Output Current 5.4 A (typical) —
Peak Sink Output Current 9.8 A (typical) —
Propagation Delay +6 / -4 ns (typical, see datasheet family) —
Supported Switch Technologies Si MOSFET, SiC MOSFET, GaN HEMT —
מארז PG-DSO-8 (150 mil DSO, 8-pin) PG-DSO-8-66 (DSO-8 wide-body)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טווח טמפרטורת פעולה [DATA_NEEDED: full operating temperature range] -40C to +125C
UVLO Protection Yes (secondary side) —
Marking Code 1B7275A —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Manufacturer Family — EiceDRIVER Compact 1ED31xxMU12H (X3 compact)
Peak Output Current (source/sink) — 14 A typical
תצורת מוצא — Separate source and sink pins
Galvanic Isolation (rms) — 5.7 kV (UL 1577)
Working Voltage (continuous) — 1200 V
Propagation Delay (typ.) — 90 ns
UVLO Threshold — 10.5 V
Creepage Distance — >8 mm
Target Switch Types — IGBT, power MOSFET, SiC MOSFET
Recommended Switch Class — Up to 2300 V IGBT / SiC modules
רמת MSL — MSL2 (per JEDEC J-STD-020)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר