2EDN7524GXTMA1 vs 2ED21064S06JXUMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của 2EDN7524GXTMA1 bằng Infineon và 2ED21064S06JXUMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
2EDN7524GXTMA1 - 5A Dual Low-Side Gate Driver for MOSFET/GaN | Infineon
2EDN7524GXTMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
2ED21064S06JXUMA1 - 650V 0.7A Half-Bridge Gate Driver | Infineon
2ED21064S06JXUMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | 2EDN7524GXTMA1 | 2ED21064S06JXUMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Product Type | Low-side gate driver IC | — |
| Number of Channels | 2 (dual) | — |
| Drive Current (Source/Sink) | 5 A peak | — |
| Input Logic | Non-inverting, TTL / 3.3 V CMOS-compatible | — |
| Input Voltage Tolerance | -10 V to +20 V on logic pins | — |
| Supply Voltage (VCC) | 4.5 V to 20 V [DATA_NEEDED: exact range] | 10 V to 20 V |
| Propagation Delay | 20 ns typical [DATA_NEEDED: exact figure] | — |
| Channel-to-Channel Delay Matching | 1 ns | — |
| Thời gian tăng lên | 5 ns typical [DATA_NEEDED: exact test condition] | — |
| Thời gian giảm dần | 5 ns typical [DATA_NEEDED: exact test condition] | — |
| Output Stage | Rail-to-rail, separate source/sink | — |
| UVLO Protection | Yes | — |
| Nhiệt độ hoạt động | -40 C to +125 C | -40C to +125C |
| Hộp | PG-WSON-8-1 (3 mm x 3 mm) with exposed thermal pad | PG-DSO-14 (14-pin SOIC) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Trạng thái RoHS | Compliant | ROHS3 Compliant |
| Target Devices | Standard MOSFETs, superjunction MOSFETs, GaN HEMTs | — |
| Chức năng | — | High-Side and Low-Side Gate Driver |
| Configuration | — | Half-Bridge (2 outputs, non-inverting) |
| Cấu trúc | — | High-Side, Low-Side with integrated bootstrap diode |
| Maximum Offset / Boot Voltage | — | 650 V |
| Source Current (typical) | — | 0.29 A |
| Sink Current (typical) | — | 0.7 A |
| Rise Time (typical) | — | [DATA_NEEDED: rise time] |
| Fall Time (typical) | — | [DATA_NEEDED: fall time] |
| Propagation Delay (typical) | — | 100 ns |
| Channel-to-Channel Delay Match | — | [DATA_NEEDED: channel-to-channel delay match] |
| Under-Voltage Lockout | — | Yes (both channels) |
| Bootstrap Diode | — | Integrated |
| Input Logic Compatibility | — | 3.3 V / 5 V CMOS |
| Negative Gate Drive Robustness | — | -0.7 V |