BSS138L vs BSS138NH6327XTSA2 So sánh

So sánh chi tiết song song của BSS138L bằng onsemi và BSS138NH6327XTSA2 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

onsemi
BSS138L BSS138L - 50V 200mA N-Channel MOSFET SOT-23 | onsemi

BSS138L - 50V 200mA N-Channel MOSFET SOT-23 | onsemi

BSS138L ✓ Hoạt động
Infineon
BSS138NH6327XTSA2 BSS138NH6327XTSA2 - 60V N-Ch MOSFET 230mA SOT-23 | Infineon

BSS138NH6327XTSA2 - 60V N-Ch MOSFET 230mA SOT-23 | Infineon

BSS138NH6327XTSA2 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số BSS138L BSS138NH6327XTSA2
Thương hiệu onsemi Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Polarity N-Channel N-Channel
Operating Mode Enhancement Mode Enhancement
VDS Drain-Source Voltage 50 V —
Continuous Drain Current (Ta) 200 mA 230 mA
Power Dissipation (Ta) 350 mW 360 mW
RDS(on) Max 3.5 ohm —
Technology Trench MOSFET, high cell density —
Gate Type Logic Level —
Hộp SOT-23-3 PG-SOT-23 (3-pin)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Configuration Single FET —
Switching Performance Fast switching, rugged, reliable —
Cung cấp电容 [DATA_NEEDED: Ciss] —
VGS Gate-Source Voltage [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Khoảng nhiệt độ hoạt động [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: Tj max and operating range]
Packaging 3000 units per reel (tape and reel) Tape and Reel
Trạng thái RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] —
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) — 60 V
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 3.5 ohm
Gate Threshold V_GS(th) — [DATA_NEEDED: typical V_GS(th) value]
Gate-Source Voltage V_GS max — ±20 V
dv/dt Rated — Yes
Đông trùng haogen — Yes (per IEC 61249-2-21)
RoHS Compliance — Compliant
AEC-Q101 Qualification — Qualified
Lead Plating — Pb-free
Marking Code — [DATA_NEEDED: top-side marking code]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá