CGD65B130S2 vs CGD65A130S2 So sánh
So sánh chi tiết song song của CGD65B130S2 bằng Cambridge GaN Devices và CGD65A130S2 bằng Cambridge GaN Devices. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Cambridge GaN Devices
CGD65B130S2 - 650V 130mΩ GaN HEMT | Cambridge GaN Devices
CGD65B130S2 ✓ Hoạt độngCambridge GaN Devices
CGD65A130S2 - 650V 130mΩ GaN HEMT | Cambridge GaN Devices
CGD65A130S2 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | CGD65B130S2 | CGD65A130S2 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Cambridge GaN Devices | Cambridge GaN Devices |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Cambridge GaN Devices | Cambridge GaN Devices |
| Kiểu transitor | GaN HEMT (enhancement mode, N-channel) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 650 V | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 130 mΩ (typical) | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 12 A | [DATA_NEEDED: continuous ID at 25°C and 100°C] |
| Gate Technology | ICeGaN™ (standard-driver compatible) | — |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | 0 nC (zero) | 0 nC (GaN - negligible) |
| Hộp | 8-DFN 5x6 mm with exposed thermal pad | DFN-16 (8 × 8 mm) with exposed pad |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Nhiệt độ hoạt động | -55 °C to +150 °C (junction) | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total gate charge at VGS=10V] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: input capacitance] | — |
| Output Capacitance (Coss) | [DATA_NEEDED: output capacitance] | [DATA_NEEDED: Coss value at VDS=400V] |
| Rise Time / Fall Time | Sub-nanosecond (per datasheet typical application) | — |
| Cấp MSL | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Substrate Technology | GaN-on-silicon | — |
| Technology | — | GaN-on-Si HEMT (enhancement-mode, ICeGaN™ gate) |
| Drain-Source Voltage (VDS, max) | — | 650 V |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 130 mΩ (typ) |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] |
| Gate Charge (Qg, total) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical value] |
| Gate-Source Voltage Rating | — | ±20 V (ICeGaN robust gate; see datasheet) |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | — | -40°C to +150°C |
| Integrated Features | — | Current sense, Miller clamp (NL³), ICeGaN gate |