CGD65B130S2 vs CGD65A130S2 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار CGD65B130S2 توسط Cambridge GaN Devices و CGD65A130S2 توسط Cambridge GaN Devices. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Cambridge GaN Devices
CGD65B130S2 CGD65B130S2 - 650V 130mΩ GaN HEMT | Cambridge GaN Devices

CGD65B130S2 - 650V 130mΩ GaN HEMT | Cambridge GaN Devices

CGD65B130S2 ✓ فعال
Cambridge GaN Devices
CGD65A130S2 CGD65A130S2 - 650V 130mΩ GaN HEMT | Cambridge GaN Devices

CGD65A130S2 - 650V 130mΩ GaN HEMT | Cambridge GaN Devices

CGD65A130S2 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر CGD65B130S2 CGD65A130S2
برند Cambridge GaN Devices Cambridge GaN Devices
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Cambridge GaN Devices Cambridge GaN Devices
نوع ترانزیستور GaN HEMT (enhancement mode, N-channel) —
Drain-Source Voltage (VDS) 650 V —
On-Resistance (RDS(on)) 130 mΩ (typical) —
Continuous Drain Current (ID) 12 A [DATA_NEEDED: continuous ID at 25°C and 100°C]
Gate Technology ICeGaN™ (standard-driver compatible) —
Reverse Recovery Charge (Qrr) 0 nC (zero) 0 nC (GaN - negligible)
بسته‌بندی 8-DFN 5x6 mm with exposed thermal pad DFN-16 (8 × 8 mm) with exposed pad
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
دمای کاری -55 °C to +150 °C (junction) —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total gate charge at VGS=10V] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: input capacitance] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: output capacitance] [DATA_NEEDED: Coss value at VDS=400V]
Rise Time / Fall Time Sub-nanosecond (per datasheet typical application) —
سطح MSL MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Substrate Technology GaN-on-silicon —
Technology — GaN-on-Si HEMT (enhancement-mode, ICeGaN™ gate)
Drain-Source Voltage (VDS, max) — 650 V
On-State Resistance (RDS(on)) — 130 mΩ (typ)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating]
Gate Charge (Qg, total) — [DATA_NEEDED: Qg typical value]
Gate-Source Voltage Rating — ±20 V (ICeGaN robust gate; see datasheet)
دمای اتصال کاری — -40°C to +150°C
Integrated Features — Current sense, Miller clamp (NL³), ICeGaN gate

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت