CGD65B130S2 vs CGD65A130S2 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از CGD65B130S2 بذریعہ Cambridge GaN Devices اور CGD65A130S2 بذریعہ Cambridge GaN Devices. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | CGD65B130S2 | CGD65A130S2 |
|---|---|---|
| برانڈ | Cambridge GaN Devices | Cambridge GaN Devices |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Cambridge GaN Devices | Cambridge GaN Devices |
| ٹرانزسٹر کی قسم | GaN HEMT (enhancement mode, N-channel) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 650 V | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 130 mΩ (typical) | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 12 A | [DATA_NEEDED: continuous ID at 25°C and 100°C] |
| Gate Technology | ICeGaN™ (standard-driver compatible) | — |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | 0 nC (zero) | 0 nC (GaN - negligible) |
| پیکیج | 8-DFN 5x6 mm with exposed thermal pad | DFN-16 (8 × 8 mm) with exposed pad |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -55 °C to +150 °C (junction) | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total gate charge at VGS=10V] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: input capacitance] | — |
| Output Capacitance (Coss) | [DATA_NEEDED: output capacitance] | [DATA_NEEDED: Coss value at VDS=400V] |
| Rise Time / Fall Time | Sub-nanosecond (per datasheet typical application) | — |
| MSL لیول | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Substrate Technology | GaN-on-silicon | — |
| Technology | — | GaN-on-Si HEMT (enhancement-mode, ICeGaN™ gate) |
| Drain-Source Voltage (VDS, max) | — | 650 V |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 130 mΩ (typ) |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] |
| Gate Charge (Qg, total) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical value] |
| Gate-Source Voltage Rating | — | ±20 V (ICeGaN robust gate; see datasheet) |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -40°C to +150°C |
| Integrated Features | — | Current sense, Miller clamp (NL³), ICeGaN gate |