CGD65B130S2 vs CGD65A130S2 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של CGD65B130S2 מאת Cambridge GaN Devices ו CGD65A130S2 מאת Cambridge GaN Devices. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Cambridge GaN Devices
CGD65B130S2 CGD65B130S2 - 650V 130mΩ GaN HEMT | Cambridge GaN Devices

CGD65B130S2 - 650V 130mΩ GaN HEMT | Cambridge GaN Devices

CGD65B130S2 ✓ פעיל
Cambridge GaN Devices
CGD65A130S2 CGD65A130S2 - 650V 130mΩ GaN HEMT | Cambridge GaN Devices

CGD65A130S2 - 650V 130mΩ GaN HEMT | Cambridge GaN Devices

CGD65A130S2 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר CGD65B130S2 CGD65A130S2
מותג Cambridge GaN Devices Cambridge GaN Devices
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Cambridge GaN Devices Cambridge GaN Devices
סוג טרנזיסטור GaN HEMT (enhancement mode, N-channel) —
Drain-Source Voltage (VDS) 650 V —
On-Resistance (RDS(on)) 130 mΩ (typical) —
Continuous Drain Current (ID) 12 A [DATA_NEEDED: continuous ID at 25°C and 100°C]
Gate Technology ICeGaN™ (standard-driver compatible) —
Reverse Recovery Charge (Qrr) 0 nC (zero) 0 nC (GaN - negligible)
מארז 8-DFN 5x6 mm with exposed thermal pad DFN-16 (8 × 8 mm) with exposed pad
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טמפרטורת פעולה -55 °C to +150 °C (junction) —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total gate charge at VGS=10V] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: input capacitance] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: output capacitance] [DATA_NEEDED: Coss value at VDS=400V]
Rise Time / Fall Time Sub-nanosecond (per datasheet typical application) —
רמת MSL MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Substrate Technology GaN-on-silicon —
Technology — GaN-on-Si HEMT (enhancement-mode, ICeGaN™ gate)
Drain-Source Voltage (VDS, max) — 650 V
On-State Resistance (RDS(on)) — 130 mΩ (typ)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating]
Gate Charge (Qg, total) — [DATA_NEEDED: Qg typical value]
Gate-Source Voltage Rating — ±20 V (ICeGaN robust gate; see datasheet)
טמפרטורת צומת פעולה — -40°C to +150°C
Integrated Features — Current sense, Miller clamp (NL³), ICeGaN gate

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר