IKD06N60RATMA1 vs IGB50N60TATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IKD06N60RATMA1 bằng Infineon và IGB50N60TATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IKD06N60RATMA1 | IGB50N60TATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | IGBTs | IGBTs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu transitor | IGBT - Trench Field Stop with anti-parallel diode | — |
| Configuration | Single with built-in diode | Single |
| Collector-Emitter Voltage (VCE) | 600 V | — |
| Continuous Collector Current (IC) at TC=25C | 12 A | — |
| Pulsed Collector Current (ICM) | [DATA_NEEDED: pulsed collector current] | — |
| Maximum Power Dissipation | 100 W | — |
| Gate-Emitter Voltage (VGE) | [DATA_NEEDED: VGE max rating] | — |
| Technology | TRENCHSTOP RC-IGBT3 (Reverse Conducting) | Trench + Field-Stop |
| VCE(sat) at IC=6A, VGE=15V | [DATA_NEEDED: VCE(sat) typical] | — |
| Diode Forward Voltage (VF) at IF=6A | [DATA_NEEDED: VF typical] | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -40C to +150C (junction) | — |
| Hộp | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO263-3-2 (D2PAK / TO-263) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Số chân | 3 (2 + Tab) | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Automotive Qualified | Yes (per FindIC listing) | — |
| Switching Frequency Range (typical) | 4 kHz to 20 kHz (hard-switching) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | Trenchstop IGBT3 |
| Collector-Emitter Voltage (VCES) | — | 600 V |
| Continuous Collector Current (IC) at TC=25°C | — | 100 A |
| Continuous Collector Current (IC) at TC=100°C | — | 50 A |
| Pulsed Collector Current (ICM, tp limited by Tjmax) | — | 150 A |
| Total Power Dissipation (Ptot) at TC=25°C | — | 333 W |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (VGE(th)) | — | 5.0 V (typ), 6.5 V (max) |
| N Nap-Emit (Vce(sat)) | — | 1.5 V (typ at VGE=15V, IC=50A, TJ=25°C) |
| Short-Circuit Withstand Time (tsc) | — | 5 µs min at VCE=360V, TJ≤150°C |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | — | -40 °C to +150 °C |
| Co-packaged Diode | — | Anti-parallel EmCon3 diode |
| Cấp MSL | — | 1 |