IPB020N10N5LFATMA1 vs IPB020N10N5ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IPB020N10N5LFATMA1 bằng Infineon và IPB020N10N5ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IPB020N10N5LFATMA1 - 100V 176A 2mΩ OptiMOS 5 Linear FET | Infineon
IPB020N10N5LFATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPB020N10N5LFATMA1 | IPB020N10N5ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 Linear FET | — |
| Technology | N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFET | OptiMOS 5 |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 176 A | — |
| Silicon-Limited Drain Current | 289 A | — |
| Package-Limited Drain Current | 120 A | — |
| Pulsed Drain Current (VDS=56V, tp=10ms) | 10.2 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) max | 2.0 mΩ | — |
| Total Power Dissipation (Tc) | 313 W | — |
| Hộp | PG-TO263-3 (D2PAK) | PG-TO263-3 (D2PAK-3) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 °C to +175 °C | -55C to +175C |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 2.5 V | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Cấp MSL | 1 | — |
| Marking Code | 020N10LF | — |
| Part Number | — | IPB020N10N5ATMA1 |
| Kiểu transitor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 120 A |
| Maximum Drain Current (ID max, per Infineon product page) | — | 176 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 2 mΩ |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 375 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Packaging | — | Tape & Reel (ATMA1 suffix) |