K4A4G085WE-BCRC vs K4A4G085WG-BCWE So sánh

So sánh chi tiết song song của K4A4G085WE-BCRC bằng Samsung Electronics và K4A4G085WG-BCWE bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electronics
K4A4G085WE-BCRC K4A4G085WE-BCRC - 4Gb DDR4-2400 x8 SDRAM | Samsung

K4A4G085WE-BCRC - 4Gb DDR4-2400 x8 SDRAM | Samsung

K4A4G085WE-BCRC ✓ Hoạt động
Samsung Electronics
K4A4G085WG-BCWE K4A4G085WG-BCWE - 4Gb DDR4 3200Mbps SDRAM | Samsung

K4A4G085WG-BCWE - 4Gb DDR4 3200Mbps SDRAM | Samsung

K4A4G085WG-BCWE ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K4A4G085WE-BCRC K4A4G085WG-BCWE
Thương hiệu Samsung Electronics Samsung Electronics
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (Volatile)
Density 4 Gbit —
Tổ chức 512M x 8 —
Tốc độ dữ liệu 2400 Mbps 3200 Mbps/pin
Clock Cycle Time (tCK) 0.833 ns —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
I/O Voltage (VDDQ) 1.2 V —
Core Voltage (VPP) 2.5 V —
Hộp FBGA-78 FBGA-78 (BCW)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Process Node Family Samsung E-die —
Giao diện Parallel Parallel (DDR4)
Bank Groups 4n prefetch DDR4 architecture —
Nhiệt độ hoạt động [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh 8n / 1X refresh (per JEDEC DDR4) [DATA_NEEDED: refresh rate specification]
Cấp MSL [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] —
Trạng thái RoHS Compliant (per LCSC listing) Compliant
Kích thước bộ nhớ — 4 Gb
Memory Organization — 512M x 8
Speed Class — DDR4-3200
Technology — D-die DDR4
Burst Length — BL8
DLL Mode — DLL Enabled (per datasheet timing)
Packaging — Tray

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá