K4A4G085WE-BCRC vs K4A4G085WG-BCWE مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A4G085WE-BCRC توسط Samsung Electronics و K4A4G085WG-BCWE توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A4G085WE-BCRC | K4A4G085WG-BCWE |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (Volatile) |
| Density | 4 Gbit | — |
| سازمان | 512M x 8 | — |
| نرخ داده | 2400 Mbps | 3200 Mbps/pin |
| Clock Cycle Time (tCK) | 0.833 ns | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Core Voltage (VPP) | 2.5 V | — |
| بسته‌بندی | FBGA-78 | FBGA-78 (BCW) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Process Node Family | Samsung E-die | — |
| رابط | Parallel | Parallel (DDR4) |
| Bank Groups | 4n prefetch DDR4 architecture | — |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Refresh | 8n / 1X refresh (per JEDEC DDR4) | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] |
| سطح MSL | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] | — |
| وضعیت RoHS | Compliant (per LCSC listing) | Compliant |
| اندازه حافظه | — | 4 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 8 |
| Speed Class | — | DDR4-3200 |
| Technology | — | D-die DDR4 |
| Burst Length | — | BL8 |
| DLL Mode | — | DLL Enabled (per datasheet timing) |
| Packaging | — | Tray |