M29F400FB55N3F2 vs M29F800FB55N3F2 So sánh

So sánh chi tiết song song của M29F400FB55N3F2 bằng Micron Technology và M29F800FB55N3F2 bằng Micron Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Micron Technology
M29F400FB55N3F2 M29F400FB55N3F2 - 4Mbit 55ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29F400FB55N3F2 - 4Mbit 55ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29F400FB55N3F2 ✓ Hoạt động
Micron Technology
M29F800FB55N3F2 M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55N3F2 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số M29F400FB55N3F2 M29F800FB55N3F2
Thương hiệu Micron Technology Micron Technology
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ NOR Flash —
Density 4 Mbit (4194 kbit) —
Tổ chức 256K x 16 / 512K x 8 1M x 8 / 512K x 16
Access Time 55 ns 55 ns
Điện áp cung cấp 5 V 5 V
Giao diện Parallel —
Boot Block Bottom boot block —
Nhiệt độ hoạt động -40C to +125C -40C to +125C
Program/Erase Controller Embedded byte/word program algorithms Embedded byte/word program algorithms
Hộp 48-TSOP I —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Standard Package Quantity 1500 units (Tape & Reel) —
Active/Standby Current [DATA_NEEDED: active and standby current] —
Erase/Program Endurance [DATA_NEEDED: endurance cycles] —
Data Retention [DATA_NEEDED: retention years] —
VIO Range [DATA_NEEDED: I/O voltage range] —
Trạng thái RoHS Compliant (lead-free build per F2 suffix) Compliant (lead-free terminations)
Memory Density — 8389 kbits (8 Mbit)
Loại giao diện — Parallel NOR
Boot Block Architecture — Bottom Boot Block
Temperature Grade — Automotive (AEC-Q100)
Package Type — 48-pin TSOP1
Package Shape — Rectangular (JESD designation TSOP1)
Terminal Count — 48
JESD-609 Termination Code — e3 (lead-free)
Packaging — Tape & Reel (T/R)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá