MW7IC18100NR1 vs MW7IC18100GNR1 So sánh

So sánh chi tiết song song của MW7IC18100NR1 bằng NXP Semiconductors và MW7IC18100GNR1 bằng NXP Semiconductors. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

NXP Semiconductors
MW7IC18100NR1 MW7IC18100NR1 - 100W RF LDMOS 1.8-2.05GHz PA TO-270 | NXP

MW7IC18100NR1 - 100W RF LDMOS 1.8-2.05GHz PA TO-270 | NXP

MW7IC18100NR1 ✓ Hoạt động
NXP Semiconductors
MW7IC18100GNR1 MW7IC18100GNR1 - 100W 1990MHz RF LDMOS Power Amplifier | NXP

MW7IC18100GNR1 - 100W 1990MHz RF LDMOS Power Amplifier | NXP

MW7IC18100GNR1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số MW7IC18100NR1 MW7IC18100GNR1
Thương hiệu NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Danh mục RF Amplifiers RF Amplifiers
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Product Type RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier —
Frequency Range 1.805 GHz to 2.05 GHz 1805 MHz to 2050 MHz
Output Power (CW, typical) 100 W (50 dBm) —
Power Gain (typical) 30 dB —
P1dB (typical) 25 W (44 dBm) CW —
Supply Voltage (VDD) 24 V to 32 V (28 V typical) —
Supply Current (typical) 1.18 A —
RF Modulation Support GSM, GSM EDGE, CDMA, W-CDMA —
VSWR Ruggedness 5:1 stable into mismatch —
Spurious (100 mW to 5 W CW) Below -60 dBc —
Hộp / Vỏ TO-270 WB-14 (Case 1618-02), plastic, flat leads —
Kiểu lắp đặt Surface Mount (gull-wing flat leads) Flange-mount, bolt-down
Lead Finish e3 (matte tin) —
Nhiệt độ hoạt động -40C to +85C (case) —
Body Material Plastic / Epoxy —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant (lead-free)
Manufacturer — NXP Semiconductors (formerly Freescale)
Part Number — MW7IC18100GNR1
Part Family — MW7IC18100N series
Device Type — RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier
Operating Voltage (VDD) — 24 V to 32 V (28 V typical)
Output Power (Pout) — 100 W CW (typical)
Power Gain — 27 dB to 30 dB (typical)
Power-Added Efficiency (PAE) — 48 % at 100 W CW
Supported Modulations — GSM, GSM EDGE, CDMA
Quiescent Current (IDQ1 / IDQ2) — 180 mA / 1000 mA
Technology — LDMOS (Laterally Diffused MOS)
Package / Outline — TO-270 WB-14 GULL (flanged ceramic)
Package Body Material — Plastic / Epoxy over ceramic carrier
Terminal Finish — Matte Tin (Sn)
On-Chip Matching — Yes (input matched; output partial)
Application — Cellular base-station PA, GSM/EDGE/CDMA

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá