M29F200FT55N3F2 vs M29F200FT55N3E2 比較

詳細並排比較 M29F200FT55N3F2 由 Micron Technology 與 M29F200FT55N3E2 由 Micron Technology. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況,以找出最符合您設計需求的元件。

Micron Technology
M29F200FT55N3F2 M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 ✓ 啟用中
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M29F200FT55N3E2 M29F200FT55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron

M29F200FT55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron

M29F200FT55N3E2 ✓ 啟用中

規格比較

參數 M29F200FT55N3F2 M29F200FT55N3E2
品牌 Micron Technology Micron Technology
類別 Memory ICs Memory ICs
生命週期狀態 啟用中 啟用中
記憶體類型 NOR Flash, Parallel NOR Flash
Density 2 Mbit (2097 kbits) 2 Mbit (2097 kbits)
組織 256K x 8-bit / 128K x 16-bit —
Supply Voltage (VCC) 5 V —
Access Time 55 ns 55 ns
Number of Words 128 K 128 k
Bits per Word 16 bits 16 bits
Boot Block Architecture Top Boot Block —
Program/Erase Embedded byte/word program algorithms —
工作溫度 -40C to +125C -40C to +125C
封裝 48-pin TSOP 48-TSOP I
安裝類型 Surface Mount Surface Mount
介面 Parallel, BYTE pin selects 8/16-bit bus Parallel
Packaging Tape & Reel (TR suffix) Tray
RoHS 狀態 [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
MSL 等級 [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Memory Organization — 256K x 8 / 128K x 16
供應電壓 — 5 V
Boot Block — Top boot block
Program / Erase — Embedded program/erase controller
Bus Mode — Byte (x8) / Word (x16) selectable

資料表與資源

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