M29F200FT55N3F2 vs M29F200FT55N3E2 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של M29F200FT55N3F2 מאת Micron Technology ו M29F200FT55N3E2 מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Micron Technology
M29F200FT55N3F2 M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 ✓ פעיל
Micron Technology
M29F200FT55N3E2 M29F200FT55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron

M29F200FT55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron

M29F200FT55N3E2 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר M29F200FT55N3F2 M29F200FT55N3E2
מותג Micron Technology Micron Technology
קטגוריה Memory ICs Memory ICs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סוג זיכרון NOR Flash, Parallel NOR Flash
Density 2 Mbit (2097 kbits) 2 Mbit (2097 kbits)
ארגון 256K x 8-bit / 128K x 16-bit —
Supply Voltage (VCC) 5 V —
Access Time 55 ns 55 ns
Number of Words 128 K 128 k
Bits per Word 16 bits 16 bits
Boot Block Architecture Top Boot Block —
Program/Erase Embedded byte/word program algorithms —
טמפרטורת פעולה -40C to +125C -40C to +125C
מארז 48-pin TSOP 48-TSOP I
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
ממשק Parallel, BYTE pin selects 8/16-bit bus Parallel
Packaging Tape & Reel (TR suffix) Tray
סטטוס RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
רמת MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Memory Organization — 256K x 8 / 128K x 16
מתח אספקה — 5 V
Boot Block — Top boot block
Program / Erase — Embedded program/erase controller
Bus Mode — Byte (x8) / Word (x16) selectable

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר