1ED44173N01BXTSA1 vs 1EDN7126GXTMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1ED44173N01BXTSA1 بواسطة Infineon و 1EDN7126GXTMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | 1ED44173N01BXTSA1 | 1EDN7126GXTMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Product Type | Low-Side MOSFET Gate Driver | — |
| Number of Channels | 1 | — |
| Configuration | Non-Inverting | Non-Inverting |
| Supply Voltage (VCC) | 4.5 V to 25 V | — |
| Output Current (Source) | 2.6 A typical | — |
| Output Current (Sink) | 2.6 A typical | — |
| زمن الصعود | [DATA_NEEDED: rise time] | — |
| زمن السقوط | [DATA_NEEDED: fall time] | — |
| Propagation Delay | < 100 ns typical | — |
| تيار السكون | 0.4 mA typical | — |
| Over-Current Protection | Yes (integrated, 4.5 V to 25 V threshold) | — |
| Fault Reporting | Yes (open-drain FAULT pin) | — |
| دبوس التمكين | Yes | — |
| Under-Voltage Lockout (UVLO) | Yes | — |
| درجة حرارة التشغيل | -40 C to +125 C | — |
| العلبة | PG-SOT23-6-3 (6-pin) | PG-VSON-10-4 |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| الوظيفة | — | Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET |
| Channel Type | — | Single |
| Driven Supply Voltage | — | [DATA_NEEDED: VCC max value] |
| Peak Source Current | — | 1.5 A |
| Peak Sink Current | — | 1.5 A |
| Common-Mode Voltage (CMR) | — | 200 V |
| Input Type | — | Truly Differential Input (TDI) |
| Propagation Delay (Typ.) | — | [DATA_NEEDED: tpd typical value] |
| Rise / Fall Time (Typ.) | — | [DATA_NEEDED: tr / tf typical value] |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -40C to +125C |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Reach | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Input Logic Compatibility | — | 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI) |