1ED44173N01BXTSA1 vs 1EDN7126GXTMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना 1ED44173N01BXTSA1 द्वारा Infineon और 1EDN7126GXTMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | 1ED44173N01BXTSA1 | 1EDN7126GXTMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Product Type | Low-Side MOSFET Gate Driver | — |
| Number of Channels | 1 | — |
| Configuration | Non-Inverting | Non-Inverting |
| Supply Voltage (VCC) | 4.5 V to 25 V | — |
| Output Current (Source) | 2.6 A typical | — |
| Output Current (Sink) | 2.6 A typical | — |
| राइज़ टाइम | [DATA_NEEDED: rise time] | — |
| फॉल टाइम | [DATA_NEEDED: fall time] | — |
| Propagation Delay | < 100 ns typical | — |
| क्वाइसेंट करंट | 0.4 mA typical | — |
| Over-Current Protection | Yes (integrated, 4.5 V to 25 V threshold) | — |
| Fault Reporting | Yes (open-drain FAULT pin) | — |
| इनेबल पिन | Yes | — |
| Under-Voltage Lockout (UVLO) | Yes | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40 C to +125 C | — |
| पैकेज | PG-SOT23-6-3 (6-pin) | PG-VSON-10-4 |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| फ़ंक्शन | — | Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET |
| Channel Type | — | Single |
| Driven Supply Voltage | — | [DATA_NEEDED: VCC max value] |
| Peak Source Current | — | 1.5 A |
| Peak Sink Current | — | 1.5 A |
| Common-Mode Voltage (CMR) | — | 200 V |
| Input Type | — | Truly Differential Input (TDI) |
| Propagation Delay (Typ.) | — | [DATA_NEEDED: tpd typical value] |
| Rise / Fall Time (Typ.) | — | [DATA_NEEDED: tr / tf typical value] |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -40C to +125C |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Reach | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Input Logic Compatibility | — | 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI) |