1ED44173N01BXTSA1 vs 1EDN7126GXTMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של 1ED44173N01BXTSA1 מאת Infineon ו 1EDN7126GXTMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | 1ED44173N01BXTSA1 | 1EDN7126GXTMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Product Type | Low-Side MOSFET Gate Driver | — |
| Number of Channels | 1 | — |
| Configuration | Non-Inverting | Non-Inverting |
| Supply Voltage (VCC) | 4.5 V to 25 V | — |
| Output Current (Source) | 2.6 A typical | — |
| Output Current (Sink) | 2.6 A typical | — |
| זמן עלייה | [DATA_NEEDED: rise time] | — |
| זמן ירידה | [DATA_NEEDED: fall time] | — |
| Propagation Delay | < 100 ns typical | — |
| זרם מנוחה | 0.4 mA typical | — |
| Over-Current Protection | Yes (integrated, 4.5 V to 25 V threshold) | — |
| Fault Reporting | Yes (open-drain FAULT pin) | — |
| פין הפעלה | Yes | — |
| Under-Voltage Lockout (UVLO) | Yes | — |
| טמפרטורת פעולה | -40 C to +125 C | — |
| מארז | PG-SOT23-6-3 (6-pin) | PG-VSON-10-4 |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| פונקציה | — | Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET |
| Channel Type | — | Single |
| Driven Supply Voltage | — | [DATA_NEEDED: VCC max value] |
| Peak Source Current | — | 1.5 A |
| Peak Sink Current | — | 1.5 A |
| Common-Mode Voltage (CMR) | — | 200 V |
| Input Type | — | Truly Differential Input (TDI) |
| Propagation Delay (Typ.) | — | [DATA_NEEDED: tpd typical value] |
| Rise / Fall Time (Typ.) | — | [DATA_NEEDED: tr / tf typical value] |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -40C to +125C |
| רמת MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Reach | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Input Logic Compatibility | — | 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI) |