1ED44173N01BXTSA1 vs 1EDN7126GXTMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار 1ED44173N01BXTSA1 توسط Infineon و 1EDN7126GXTMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | 1ED44173N01BXTSA1 | 1EDN7126GXTMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Product Type | Low-Side MOSFET Gate Driver | — |
| Number of Channels | 1 | — |
| Configuration | Non-Inverting | Non-Inverting |
| Supply Voltage (VCC) | 4.5 V to 25 V | — |
| Output Current (Source) | 2.6 A typical | — |
| Output Current (Sink) | 2.6 A typical | — |
| زمان صعود | [DATA_NEEDED: rise time] | — |
| زمان افت | [DATA_NEEDED: fall time] | — |
| Propagation Delay | < 100 ns typical | — |
| جریان سکون | 0.4 mA typical | — |
| Over-Current Protection | Yes (integrated, 4.5 V to 25 V threshold) | — |
| Fault Reporting | Yes (open-drain FAULT pin) | — |
| پین فعال‌سازی | Yes | — |
| Under-Voltage Lockout (UVLO) | Yes | — |
| دمای کاری | -40 C to +125 C | — |
| بسته‌بندی | PG-SOT23-6-3 (6-pin) | PG-VSON-10-4 |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| عملکرد | — | Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET |
| Channel Type | — | Single |
| Driven Supply Voltage | — | [DATA_NEEDED: VCC max value] |
| Peak Source Current | — | 1.5 A |
| Peak Sink Current | — | 1.5 A |
| Common-Mode Voltage (CMR) | — | 200 V |
| Input Type | — | Truly Differential Input (TDI) |
| Propagation Delay (Typ.) | — | [DATA_NEEDED: tpd typical value] |
| Rise / Fall Time (Typ.) | — | [DATA_NEEDED: tr / tf typical value] |
| محدوده دمای کاری | — | -40C to +125C |
| سطح MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Reach | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Input Logic Compatibility | — | 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI) |