1EDI20N12AFXUMA1 vs 2ED2183S06FXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1EDI20N12AFXUMA1 بواسطة Infineon و 2ED2183S06FXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 1EDI20N12AFXUMA1 2ED2183S06FXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Driver Configuration Single high-side, isolated —
Isolation Type Galvanic (coreless transformer), reinforced —
Number of Channels 1 —
Maximum Supply Voltage (Output Side) 17 V —
Minimum Supply Voltage (Output Side) 3.1 V —
Peak Source Current 4.0 A (typical) —
Peak Sink Current 3.5 A (typical) —
Working Voltage (Isolation) 1200 V (high-side rail reference) —
Propagation Delay 120 ns (typical) —
تكوين الخرج Separate source and sink pins —
Short-Circuit Clamping Yes (built-in) —
العلبة PG-DSO-8-51 (DSO-8, 8-pin, narrow body) PG-DSO-8-53 (DSO-8)
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 °C to +125 °C —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 2 (per JEDEC J-STD-020) 2
RoHS Compliance Compliant —
Lead-Free Yes —
Driver Type — Half-Bridge Gate Driver
Number of Drivers — 1
عدد المخارج — 1 (half-bridge: high-side + low-side)
Configuration — High Side, Low Side, Non-Inverting
Maximum Offset Voltage — 650 V
Output Current (Sink/Source) — 2.5 A typical
زمن الصعود — 15 ns
زمن السقوط — 15 ns
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Bootstrap Supply (VBS) — 10 V to 20 V (typ.)
Logic Input Voltage — 3.3 V / 5 V compatible (HIN, LIN)
Input Type — Non-Inverting
Bootstrap Diode — Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) — VCC and VBS
درجة حرارة التشغيل — -40 C to +125 C
Terminal Finish — Tin (e3 per JESD-609)
Technology — SOI (Silicon-On-Insulator)
حالة RoHS — Compliant

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر