1EDI20N12AFXUMA1 vs 2ED2183S06FXUMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 1EDI20N12AFXUMA1 tarafından Infineon ve 2ED2183S06FXUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | 1EDI20N12AFXUMA1 | 2ED2183S06FXUMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Driver Configuration | Single high-side, isolated | — |
| Isolation Type | Galvanic (coreless transformer), reinforced | — |
| Number of Channels | 1 | — |
| Maximum Supply Voltage (Output Side) | 17 V | — |
| Minimum Supply Voltage (Output Side) | 3.1 V | — |
| Peak Source Current | 4.0 A (typical) | — |
| Peak Sink Current | 3.5 A (typical) | — |
| Working Voltage (Isolation) | 1200 V (high-side rail reference) | — |
| Propagation Delay | 120 ns (typical) | — |
| Çıkış Konfigürasyonu | Separate source and sink pins | — |
| Short-Circuit Clamping | Yes (built-in) | — |
| Paket | PG-DSO-8-51 (DSO-8, 8-pin, narrow body) | PG-DSO-8-53 (DSO-8) |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -40 °C to +125 °C | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Seviyesi | 2 (per JEDEC J-STD-020) | 2 |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Driver Type | — | Half-Bridge Gate Driver |
| Number of Drivers | — | 1 |
| Çıkış Sayısı | — | 1 (half-bridge: high-side + low-side) |
| Configuration | — | High Side, Low Side, Non-Inverting |
| Maximum Offset Voltage | — | 650 V |
| Output Current (Sink/Source) | — | 2.5 A typical |
| Artış Süresi | — | 15 ns |
| Düşüş Süresi | — | 15 ns |
| Supply Voltage (VCC) | — | 10 V to 20 V |
| Bootstrap Supply (VBS) | — | 10 V to 20 V (typ.) |
| Logic Input Voltage | — | 3.3 V / 5 V compatible (HIN, LIN) |
| Input Type | — | Non-Inverting |
| Bootstrap Diode | — | Integrated |
| Undervoltage Lockout (UVLO) | — | VCC and VBS |
| İşletim Sıcaklığı | — | -40 C to +125 C |
| Terminal Finish | — | Tin (e3 per JESD-609) |
| Technology | — | SOI (Silicon-On-Insulator) |
| RoHS Durumu | — | Compliant |