1EDI20N12AFXUMA1 vs 2ED2183S06FXUMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار 1EDI20N12AFXUMA1 توسط Infineon و 2ED2183S06FXUMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر 1EDI20N12AFXUMA1 2ED2183S06FXUMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Driver Configuration Single high-side, isolated —
Isolation Type Galvanic (coreless transformer), reinforced —
Number of Channels 1 —
Maximum Supply Voltage (Output Side) 17 V —
Minimum Supply Voltage (Output Side) 3.1 V —
Peak Source Current 4.0 A (typical) —
Peak Sink Current 3.5 A (typical) —
Working Voltage (Isolation) 1200 V (high-side rail reference) —
Propagation Delay 120 ns (typical) —
پیکربندی خروجی Separate source and sink pins —
Short-Circuit Clamping Yes (built-in) —
بسته‌بندی PG-DSO-8-51 (DSO-8, 8-pin, narrow body) PG-DSO-8-53 (DSO-8)
محدوده دمای کاری -40 °C to +125 °C —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL 2 (per JEDEC J-STD-020) 2
RoHS Compliance Compliant —
Lead-Free Yes —
Driver Type — Half-Bridge Gate Driver
Number of Drivers — 1
تعداد خروجی‌ها — 1 (half-bridge: high-side + low-side)
Configuration — High Side, Low Side, Non-Inverting
Maximum Offset Voltage — 650 V
Output Current (Sink/Source) — 2.5 A typical
زمان صعود — 15 ns
زمان افت — 15 ns
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Bootstrap Supply (VBS) — 10 V to 20 V (typ.)
Logic Input Voltage — 3.3 V / 5 V compatible (HIN, LIN)
Input Type — Non-Inverting
Bootstrap Diode — Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) — VCC and VBS
دمای کاری — -40 C to +125 C
Terminal Finish — Tin (e3 per JESD-609)
Technology — SOI (Silicon-On-Insulator)
وضعیت RoHS — Compliant

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت