1EDI20N12AFXUMA1 vs 2ED2183S06FXUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 1EDI20N12AFXUMA1 מאת Infineon ו 2ED2183S06FXUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר 1EDI20N12AFXUMA1 2ED2183S06FXUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Driver Configuration Single high-side, isolated —
Isolation Type Galvanic (coreless transformer), reinforced —
Number of Channels 1 —
Maximum Supply Voltage (Output Side) 17 V —
Minimum Supply Voltage (Output Side) 3.1 V —
Peak Source Current 4.0 A (typical) —
Peak Sink Current 3.5 A (typical) —
Working Voltage (Isolation) 1200 V (high-side rail reference) —
Propagation Delay 120 ns (typical) —
תצורת מוצא Separate source and sink pins —
Short-Circuit Clamping Yes (built-in) —
מארז PG-DSO-8-51 (DSO-8, 8-pin, narrow body) PG-DSO-8-53 (DSO-8)
טווח טמפרטורת פעולה -40 °C to +125 °C —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL 2 (per JEDEC J-STD-020) 2
RoHS Compliance Compliant —
Lead-Free Yes —
Driver Type — Half-Bridge Gate Driver
Number of Drivers — 1
מספר יציאות — 1 (half-bridge: high-side + low-side)
Configuration — High Side, Low Side, Non-Inverting
Maximum Offset Voltage — 650 V
Output Current (Sink/Source) — 2.5 A typical
זמן עלייה — 15 ns
זמן ירידה — 15 ns
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Bootstrap Supply (VBS) — 10 V to 20 V (typ.)
Logic Input Voltage — 3.3 V / 5 V compatible (HIN, LIN)
Input Type — Non-Inverting
Bootstrap Diode — Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) — VCC and VBS
טמפרטורת פעולה — -40 C to +125 C
Terminal Finish — Tin (e3 per JESD-609)
Technology — SOI (Silicon-On-Insulator)
סטטוס RoHS — Compliant

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר