1EDI20N12AFXUMA1 vs 2ED2183S06FXUMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của 1EDI20N12AFXUMA1 bằng Infineon và 2ED2183S06FXUMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
1EDI20N12AFXUMA1 1EDI20N12AFXUMA1 - 1200V Isolated Gate Driver, 4A/3.5A | Infineon

1EDI20N12AFXUMA1 - 1200V Isolated Gate Driver, 4A/3.5A | Infineon

1EDI20N12AFXUMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
2ED2183S06FXUMA1 2ED2183S06FXUMA1 - 650V 2.5A Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED2183S06FXUMA1 - 650V 2.5A Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED2183S06FXUMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số 1EDI20N12AFXUMA1 2ED2183S06FXUMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Driver Configuration Single high-side, isolated —
Isolation Type Galvanic (coreless transformer), reinforced —
Number of Channels 1 —
Maximum Supply Voltage (Output Side) 17 V —
Minimum Supply Voltage (Output Side) 3.1 V —
Peak Source Current 4.0 A (typical) —
Peak Sink Current 3.5 A (typical) —
Working Voltage (Isolation) 1200 V (high-side rail reference) —
Propagation Delay 120 ns (typical) —
Cấu hình đầu ra Separate source and sink pins —
Short-Circuit Clamping Yes (built-in) —
Hộp PG-DSO-8-51 (DSO-8, 8-pin, narrow body) PG-DSO-8-53 (DSO-8)
Khoảng nhiệt độ hoạt động -40 °C to +125 °C —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Cấp MSL 2 (per JEDEC J-STD-020) 2
RoHS Compliance Compliant —
Lead-Free Yes —
Driver Type — Half-Bridge Gate Driver
Number of Drivers — 1
Số lượng đầu ra — 1 (half-bridge: high-side + low-side)
Configuration — High Side, Low Side, Non-Inverting
Maximum Offset Voltage — 650 V
Output Current (Sink/Source) — 2.5 A typical
Thời gian tăng lên — 15 ns
Thời gian giảm dần — 15 ns
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Bootstrap Supply (VBS) — 10 V to 20 V (typ.)
Logic Input Voltage — 3.3 V / 5 V compatible (HIN, LIN)
Input Type — Non-Inverting
Bootstrap Diode — Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) — VCC and VBS
Nhiệt độ hoạt động — -40 C to +125 C
Terminal Finish — Tin (e3 per JESD-609)
Technology — SOI (Silicon-On-Insulator)
Trạng thái RoHS — Compliant

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá