2ED2106S06FXUMA1 vs 1ED3142MC12HXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2ED2106S06FXUMA1 بواسطة Infineon و 1ED3142MC12HXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 2ED2106S06FXUMA1 1ED3142MC12HXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Offset Voltage (Voffset max) 650 V —
Configuration High-Side and Low-Side (Half-Bridge) Inverting, Non-Inverting
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.7 A —
Input Logic Compatibility CMOS, TTL —
Propagation Delay (typ.) 100 ns 40 ns
عدد المخارج 2 (1 high-side, 1 low-side) 2 (separate source/sink)
Number of Drivers 2 —
عدد الدبابيس 8 —
العلبة PG-DSO-8-69 (DSO-8) PG-DSO-8 (PG-LDSO-8-1)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Bootstrap Diode Integrated —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40C to +125C —
Packaging Tape & Reel —
نوع الخرج Half-Bridge, Non-Inverting —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — 1ED3142MC12HXUMA1
Product Family — EiceDRIVER X3 Compact
Driver Type — Isolated single-channel gate driver
Isolation Technology — Coreless transformer (galvanic)
Isolation Voltage — 3000 Vrms
Number of Channels — 1
Source Drive Current — 6 A
Sink Drive Current — 6.5 A
Maximum Rise Time — 20 ns
Maximum Fall Time — 20 ns
Supported Switches — IGBT, MOSFET, SiC MOSFET
EU RoHS — Compliant
Part Status — Active
ECCN — EAR99

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر