2ED2106S06FXUMA1 vs 1ED3142MC12HXUMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना 2ED2106S06FXUMA1 द्वारा Infineon और 1ED3142MC12HXUMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
2ED2106S06FXUMA1 2ED2106S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2106S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2106S06FXUMA1 ✓ सक्रिय
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1ED3142MC12HXUMA1 1ED3142MC12HXUMA1 - 6A Isolated Gate Driver | Infineon EiceDRIVER

1ED3142MC12HXUMA1 - 6A Isolated Gate Driver | Infineon EiceDRIVER

1ED3142MC12HXUMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर 2ED2106S06FXUMA1 1ED3142MC12HXUMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Offset Voltage (Voffset max) 650 V —
Configuration High-Side and Low-Side (Half-Bridge) Inverting, Non-Inverting
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.7 A —
Input Logic Compatibility CMOS, TTL —
Propagation Delay (typ.) 100 ns 40 ns
आउटपुट की संख्या 2 (1 high-side, 1 low-side) 2 (separate source/sink)
Number of Drivers 2 —
पिन की संख्या 8 —
पैकेज PG-DSO-8-69 (DSO-8) PG-DSO-8 (PG-LDSO-8-1)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Bootstrap Diode Integrated —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -40C to +125C —
Packaging Tape & Reel —
आउटपुट प्रकार Half-Bridge, Non-Inverting —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — 1ED3142MC12HXUMA1
Product Family — EiceDRIVER X3 Compact
Driver Type — Isolated single-channel gate driver
Isolation Technology — Coreless transformer (galvanic)
Isolation Voltage — 3000 Vrms
Number of Channels — 1
Source Drive Current — 6 A
Sink Drive Current — 6.5 A
Maximum Rise Time — 20 ns
Maximum Fall Time — 20 ns
Supported Switches — IGBT, MOSFET, SiC MOSFET
EU RoHS — Compliant
Part Status — Active
ECCN — EAR99

डेटाशीट और संसाधन

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