2EDL8033G4BXTMA1 vs 2EDL6014ACG2DXTMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2EDL8033G4BXTMA1 بواسطة Infineon و 2EDL6014ACG2DXTMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
2EDL8033G4BXTMA1 2EDL8033G4BXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL8033G4BXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL8033G4BXTMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل 2EDL8033G4BXTMA1 2EDL6014ACG2DXTMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
البنية الطوبولوجية Half-bridge (high-side + low-side) —
Maximum Bootstrap Voltage (VBS) 120 V —
Source Drive Current 3 A —
Sink Drive Current 4 A —
Number of Channels 2 (HS + LS) 2 (high-side + low-side)
Isolation Type Junction-isolated (non-galvanic) Isolated (level-shifted floating high-side)
Input Logic Compatibility TTL —
Input Common-Mode Range -10 V to 20 V —
Input Type Independent HS and LS —
Integrated Dead-Time Control Yes (programmable) —
Under-Voltage Lockout (VCC/VDD) Yes —
Under-Voltage Lockout (VBS/High-Side) Yes —
Shoot-Through Protection Yes —
العلبة PG-VDSON-8-5 11-WQFN (2.2 x 2.2 mm) with exposed pad
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant —
Marking Code 2ED8033G4B —
Driver Type — Half-Bridge Gate Driver
تكوين الخرج — Non-Inverting
High-Side Voltage Rating — 120 V
Source Output Current — 4 A
Sink Output Current — 6 A
Supply Voltage (VDD) — 2.97 V to 5.5 V
Rise Time (typ.) — 4.2 ns
Fall Time (typ.) — 3.8 ns
درجة حرارة التشغيل — -40 C to +125 C
Packing Method — Tape & Reel
Technology Family — EiceDRIVER 2EDL

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر