2EDL8033G4BXTMA1 vs 2EDL6014ACG2DXTMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना 2EDL8033G4BXTMA1 द्वारा Infineon और 2EDL6014ACG2DXTMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
2EDL8033G4BXTMA1 2EDL8033G4BXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL8033G4BXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL8033G4BXTMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
2EDL6014ACG2DXTMA1 2EDL6014ACG2DXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver, 4A/6A | Infineon

2EDL6014ACG2DXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver, 4A/6A | Infineon

2EDL6014ACG2DXTMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर 2EDL8033G4BXTMA1 2EDL6014ACG2DXTMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
टोपोलॉजी Half-bridge (high-side + low-side) —
Maximum Bootstrap Voltage (VBS) 120 V —
Source Drive Current 3 A —
Sink Drive Current 4 A —
Number of Channels 2 (HS + LS) 2 (high-side + low-side)
Isolation Type Junction-isolated (non-galvanic) Isolated (level-shifted floating high-side)
Input Logic Compatibility TTL —
Input Common-Mode Range -10 V to 20 V —
Input Type Independent HS and LS —
Integrated Dead-Time Control Yes (programmable) —
Under-Voltage Lockout (VCC/VDD) Yes —
Under-Voltage Lockout (VBS/High-Side) Yes —
Shoot-Through Protection Yes —
पैकेज PG-VDSON-8-5 11-WQFN (2.2 x 2.2 mm) with exposed pad
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
RoHS स्थिति Compliant —
Marking Code 2ED8033G4B —
Driver Type — Half-Bridge Gate Driver
आउटपुट कॉन्फ़िगरेशन — Non-Inverting
High-Side Voltage Rating — 120 V
Source Output Current — 4 A
Sink Output Current — 6 A
Supply Voltage (VDD) — 2.97 V to 5.5 V
Rise Time (typ.) — 4.2 ns
Fall Time (typ.) — 3.8 ns
ऑपरेटिंग तापमान — -40 C to +125 C
Packing Method — Tape & Reel
Technology Family — EiceDRIVER 2EDL

डेटाशीट और संसाधन

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