2EDL8033G4BXTMA1 vs 2EDL6014ACG2DXTMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از 2EDL8033G4BXTMA1 بذریعہ Infineon اور 2EDL6014ACG2DXTMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
2EDL8033G4BXTMA1 2EDL8033G4BXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL8033G4BXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL8033G4BXTMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر 2EDL8033G4BXTMA1 2EDL6014ACG2DXTMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
ٹوپولوجی Half-bridge (high-side + low-side) —
Maximum Bootstrap Voltage (VBS) 120 V —
Source Drive Current 3 A —
Sink Drive Current 4 A —
Number of Channels 2 (HS + LS) 2 (high-side + low-side)
Isolation Type Junction-isolated (non-galvanic) Isolated (level-shifted floating high-side)
Input Logic Compatibility TTL —
Input Common-Mode Range -10 V to 20 V —
Input Type Independent HS and LS —
Integrated Dead-Time Control Yes (programmable) —
Under-Voltage Lockout (VCC/VDD) Yes —
Under-Voltage Lockout (VBS/High-Side) Yes —
Shoot-Through Protection Yes —
پیکیج PG-VDSON-8-5 11-WQFN (2.2 x 2.2 mm) with exposed pad
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Marking Code 2ED8033G4B —
Driver Type — Half-Bridge Gate Driver
آؤٹ پٹ کنفیگریشن — Non-Inverting
High-Side Voltage Rating — 120 V
Source Output Current — 4 A
Sink Output Current — 6 A
Supply Voltage (VDD) — 2.97 V to 5.5 V
Rise Time (typ.) — 4.2 ns
Fall Time (typ.) — 3.8 ns
آپریٹنگ درجہ حرارت — -40 C to +125 C
Packing Method — Tape & Reel
Technology Family — EiceDRIVER 2EDL

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں