2EDL8033G4BXTMA1 vs 2EDL6014ACG2DXTMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 2EDL8033G4BXTMA1 tarafından Infineon ve 2EDL6014ACG2DXTMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 2EDL8033G4BXTMA1 2EDL6014ACG2DXTMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Ağ Yapısı Half-bridge (high-side + low-side) —
Maximum Bootstrap Voltage (VBS) 120 V —
Source Drive Current 3 A —
Sink Drive Current 4 A —
Number of Channels 2 (HS + LS) 2 (high-side + low-side)
Isolation Type Junction-isolated (non-galvanic) Isolated (level-shifted floating high-side)
Input Logic Compatibility TTL —
Input Common-Mode Range -10 V to 20 V —
Input Type Independent HS and LS —
Integrated Dead-Time Control Yes (programmable) —
Under-Voltage Lockout (VCC/VDD) Yes —
Under-Voltage Lockout (VBS/High-Side) Yes —
Shoot-Through Protection Yes —
Paket PG-VDSON-8-5 11-WQFN (2.2 x 2.2 mm) with exposed pad
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu Compliant —
Marking Code 2ED8033G4B —
Driver Type — Half-Bridge Gate Driver
Çıkış Konfigürasyonu — Non-Inverting
High-Side Voltage Rating — 120 V
Source Output Current — 4 A
Sink Output Current — 6 A
Supply Voltage (VDD) — 2.97 V to 5.5 V
Rise Time (typ.) — 4.2 ns
Fall Time (typ.) — 3.8 ns
İşletim Sıcaklığı — -40 C to +125 C
Packing Method — Tape & Reel
Technology Family — EiceDRIVER 2EDL

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin