2EDR8258XXUMA1 vs 2ED2410EMXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2EDR8258XXUMA1 بواسطة Infineon و 2ED2410EMXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 2EDR8258XXUMA1 2ED2410EMXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Isolated single-channel gate driver —
Isolation Technology Magnetic (coreless transformer) coupling —
Number of Channels 1 —
عدد المخارج 2 (high-side and low-side, half-bridge) 2 (independent)
Peak Source Current 5 A —
Peak Sink Current 9 A —
Galvanic Isolation (rms) 5700 Vrms —
Galvanic Isolation (peak) 8000 Vpk —
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) 150 V/ns —
Propagation Delay (typical) 38 ns —
Driver Supply Voltage (VCC, VBS) 8 V to 20 V —
Input Supply Voltage (VDD) 3 V to 5.5 V —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 °C to +125 °C -40 °C to +150 °C
العلبة PG-DSO-14 (14-pin) PG-TSDSO-24 (exposed pad)
Protection Features UVLO (VCC/VBS), DESAT short-circuit, enable/shutdown, dead-time control, interleaving protection Enable/Shutdown, Overcurrent Protection (OCP), Interleaved Conduction Protection, Charge Pump
Logic Input Non-inverting, CMOS compatible —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant Compliant
Driver Type — High-Side N-Channel MOSFET Gate Driver
Configuration — Non-Inverting
Supply Voltage Range (VS) — 8 V to 36 V
Logic/VBAT Voltage Range — 3 V to 58 V
Source Current (typ.) — 175 mA
Sink Current (typ.) — 350 mA
زمن الصعود — 2 µs
زمن السقوط — 7 µs
Logic Input Compatibility — 3.3 V and 5 V MCU
Automotive Qualification — AEC-Q100

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر