2EDR8258XXUMA1 vs 2ED2410EMXUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 2EDR8258XXUMA1 מאת Infineon ו 2ED2410EMXUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר 2EDR8258XXUMA1 2ED2410EMXUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Product Type Isolated single-channel gate driver —
Isolation Technology Magnetic (coreless transformer) coupling —
Number of Channels 1 —
מספר יציאות 2 (high-side and low-side, half-bridge) 2 (independent)
Peak Source Current 5 A —
Peak Sink Current 9 A —
Galvanic Isolation (rms) 5700 Vrms —
Galvanic Isolation (peak) 8000 Vpk —
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) 150 V/ns —
Propagation Delay (typical) 38 ns —
Driver Supply Voltage (VCC, VBS) 8 V to 20 V —
Input Supply Voltage (VDD) 3 V to 5.5 V —
טווח טמפרטורת פעולה -40 °C to +125 °C -40 °C to +150 °C
מארז PG-DSO-14 (14-pin) PG-TSDSO-24 (exposed pad)
Protection Features UVLO (VCC/VBS), DESAT short-circuit, enable/shutdown, dead-time control, interleaving protection Enable/Shutdown, Overcurrent Protection (OCP), Interleaved Conduction Protection, Charge Pump
Logic Input Non-inverting, CMOS compatible —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Driver Type — High-Side N-Channel MOSFET Gate Driver
Configuration — Non-Inverting
Supply Voltage Range (VS) — 8 V to 36 V
Logic/VBAT Voltage Range — 3 V to 58 V
Source Current (typ.) — 175 mA
Sink Current (typ.) — 350 mA
זמן עלייה — 2 µs
זמן ירידה — 7 µs
Logic Input Compatibility — 3.3 V and 5 V MCU
Automotive Qualification — AEC-Q100

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר