2EDR8258XXUMA1 vs 2ED2410EMXUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 2EDR8258XXUMA1 tarafından Infineon ve 2ED2410EMXUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 2EDR8258XXUMA1 2ED2410EMXUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Product Type Isolated single-channel gate driver —
Isolation Technology Magnetic (coreless transformer) coupling —
Number of Channels 1 —
Çıkış Sayısı 2 (high-side and low-side, half-bridge) 2 (independent)
Peak Source Current 5 A —
Peak Sink Current 9 A —
Galvanic Isolation (rms) 5700 Vrms —
Galvanic Isolation (peak) 8000 Vpk —
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) 150 V/ns —
Propagation Delay (typical) 38 ns —
Driver Supply Voltage (VCC, VBS) 8 V to 20 V —
Input Supply Voltage (VDD) 3 V to 5.5 V —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -40 °C to +125 °C -40 °C to +150 °C
Paket PG-DSO-14 (14-pin) PG-TSDSO-24 (exposed pad)
Protection Features UVLO (VCC/VBS), DESAT short-circuit, enable/shutdown, dead-time control, interleaving protection Enable/Shutdown, Overcurrent Protection (OCP), Interleaved Conduction Protection, Charge Pump
Logic Input Non-inverting, CMOS compatible —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu Compliant Compliant
Driver Type — High-Side N-Channel MOSFET Gate Driver
Configuration — Non-Inverting
Supply Voltage Range (VS) — 8 V to 36 V
Logic/VBAT Voltage Range — 3 V to 58 V
Source Current (typ.) — 175 mA
Sink Current (typ.) — 350 mA
Artış Süresi — 2 µs
Düşüş Süresi — 7 µs
Logic Input Compatibility — 3.3 V and 5 V MCU
Automotive Qualification — AEC-Q100

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin