2EP110RXTMA1 vs 2EP101RXTMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2EP110RXTMA1 بواسطة Infineon و 2EP101RXTMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | 2EP110RXTMA1 | 2EP101RXTMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | Voltage Regulators | Power MOSFET Drivers |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Product Type | Full-Bridge Transformer Driver PMIC | Full-Bridge Transformer Driver PMIC |
| البنية الطوبولوجية | Full-bridge (two internal half-bridges) | Full-bridge (H-bridge) with external transformer |
| Input Voltage (VCC) | 20 V nominal | — |
| Output Power | 5 W | — |
| تردد التبديل | 50 kHz / 65 kHz (selectable) | — |
| Target Loads | IGBT and SiC MOSFET gate driver supplies | — |
| العلبة | PG-TSSOP-8 | PG-TSSOP-8 |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | -40C to +125C | — |
| Protection Features | Under-voltage lockout (UVLO), over-temperature shutdown (OTP), soft-start | — |
| تكوين الخرج | Drives external centre-tapped transformer (rectification on secondary) | — |
| مستوى MSL | MSL 3 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| Supply Voltage Range | — | 5 V to 20 V |
| Maximum Output Power | — | 5 W |
| Switching Frequency Option 1 | — | 50 kHz |
| Switching Frequency Option 2 | — | 65 kHz |
| Duty Cycle Option 1 | — | 12% |
| Duty Cycle Option 2 | — | 17% |
| عدد المخارج | — | 1 (full-bridge differential primary) |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -40 °C to +125 °C |
| Primary Application | — | Isolated IGBT and SiC MOSFET gate driver supply |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| Delivery Form | — | Tape and Reel (XT suffix) |