2EP110RXTMA1 vs 2EP101RXTMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 2EP110RXTMA1 מאת Infineon ו 2EP101RXTMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר 2EP110RXTMA1 2EP101RXTMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Voltage Regulators Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Product Type Full-Bridge Transformer Driver PMIC Full-Bridge Transformer Driver PMIC
טופולוגיה Full-bridge (two internal half-bridges) Full-bridge (H-bridge) with external transformer
Input Voltage (VCC) 20 V nominal —
Output Power 5 W —
תדר מיתוג 50 kHz / 65 kHz (selectable) —
Target Loads IGBT and SiC MOSFET gate driver supplies —
מארז PG-TSSOP-8 PG-TSSOP-8
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טמפרטורת פעולה -40C to +125C —
Protection Features Under-voltage lockout (UVLO), over-temperature shutdown (OTP), soft-start —
תצורת מוצא Drives external centre-tapped transformer (rectification on secondary) —
רמת MSL MSL 3 (per JEDEC J-STD-020) —
סטטוס RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
נטול הלוגנים Yes —
Supply Voltage Range — 5 V to 20 V
Maximum Output Power — 5 W
Switching Frequency Option 1 — 50 kHz
Switching Frequency Option 2 — 65 kHz
Duty Cycle Option 1 — 12%
Duty Cycle Option 2 — 17%
מספר יציאות — 1 (full-bridge differential primary)
טווח טמפרטורת פעולה — -40 °C to +125 °C
Primary Application — Isolated IGBT and SiC MOSFET gate driver supply
RoHS Compliance — Compliant
Delivery Form — Tape and Reel (XT suffix)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר