2EP110RXTMA1 vs 2EP101RXTMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 2EP110RXTMA1 tarafından Infineon ve 2EP101RXTMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 2EP110RXTMA1 2EP101RXTMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Voltage Regulators Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Product Type Full-Bridge Transformer Driver PMIC Full-Bridge Transformer Driver PMIC
Ağ Yapısı Full-bridge (two internal half-bridges) Full-bridge (H-bridge) with external transformer
Input Voltage (VCC) 20 V nominal —
Output Power 5 W —
Değiştirme Frekansı 50 kHz / 65 kHz (selectable) —
Target Loads IGBT and SiC MOSFET gate driver supplies —
Paket PG-TSSOP-8 PG-TSSOP-8
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı -40C to +125C —
Protection Features Under-voltage lockout (UVLO), over-temperature shutdown (OTP), soft-start —
Çıkış Konfigürasyonu Drives external centre-tapped transformer (rectification on secondary) —
MSL Seviyesi MSL 3 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS Durumu Compliant —
Lead-Free Yes —
Klorürsüz Yes —
Supply Voltage Range — 5 V to 20 V
Maximum Output Power — 5 W
Switching Frequency Option 1 — 50 kHz
Switching Frequency Option 2 — 65 kHz
Duty Cycle Option 1 — 12%
Duty Cycle Option 2 — 17%
Çıkış Sayısı — 1 (full-bridge differential primary)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -40 °C to +125 °C
Primary Application — Isolated IGBT and SiC MOSFET gate driver supply
RoHS Compliance — Compliant
Delivery Form — Tape and Reel (XT suffix)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin