2EP110RXTMA1 vs 2EP101RXTMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना 2EP110RXTMA1 द्वारा Infineon और 2EP101RXTMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
2EP110RXTMA1 2EP110RXTMA1 - 5W Full-Bridge Transformer Driver | Infineon

2EP110RXTMA1 - 5W Full-Bridge Transformer Driver | Infineon

2EP110RXTMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
2EP101RXTMA1 2EP101RXTMA1 - 5W Full-Bridge Transformer Driver IC | Infineon

2EP101RXTMA1 - 5W Full-Bridge Transformer Driver IC | Infineon

2EP101RXTMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर 2EP110RXTMA1 2EP101RXTMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी Voltage Regulators Power MOSFET Drivers
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Product Type Full-Bridge Transformer Driver PMIC Full-Bridge Transformer Driver PMIC
टोपोलॉजी Full-bridge (two internal half-bridges) Full-bridge (H-bridge) with external transformer
Input Voltage (VCC) 20 V nominal —
Output Power 5 W —
स्विचिंग फ्रीक्वेंसी 50 kHz / 65 kHz (selectable) —
Target Loads IGBT and SiC MOSFET gate driver supplies —
पैकेज PG-TSSOP-8 PG-TSSOP-8
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान -40C to +125C —
Protection Features Under-voltage lockout (UVLO), over-temperature shutdown (OTP), soft-start —
आउटपुट कॉन्फ़िगरेशन Drives external centre-tapped transformer (rectification on secondary) —
MSL स्तर MSL 3 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS स्थिति Compliant —
Lead-Free Yes —
हैलोजन फ्री Yes —
Supply Voltage Range — 5 V to 20 V
Maximum Output Power — 5 W
Switching Frequency Option 1 — 50 kHz
Switching Frequency Option 2 — 65 kHz
Duty Cycle Option 1 — 12%
Duty Cycle Option 2 — 17%
आउटपुट की संख्या — 1 (full-bridge differential primary)
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -40 °C to +125 °C
Primary Application — Isolated IGBT and SiC MOSFET gate driver supply
RoHS Compliance — Compliant
Delivery Form — Tape and Reel (XT suffix)

डेटाशीट और संसाधन

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